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Infineon Módulo Transistor IGBT, IKW50N65F5FKSA1, 80 A, 650 V, PG-TO247-3

About The Infineon Módulo transistor IGBT, 80 A, 650 V, PG-TO247-3, Tensión Máxima Puerta-Emisor: ±20V, Disipación de Potencia Máxima: 305 W, MPN: IKW50N65F5FKSA1

Infineon Módulo transistor IGBT, 80 A, 650 V, PG-TO247-3, Tensión Máxima Puerta-Emisor: ±20V, Disipación de Potencia Máxima: 305 W, MPN: IKW50N65F5FKSA1

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Specifications of Infineon Módulo Transistor IGBT, IKW50N65F5FKSA1, 80 A, 650 V, PG-TO247-3

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