Onsemi MOSFET NVD5C478NT4G, VDSS 40 V, ID 42 A, DPAK (TO-252) De 3 Pines,, Config. Simple
About The Simple, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 8,4 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 4V, Tensión de umbral de puerta mínima: 2V, Disipación de Potencia Máxima: 30 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: ±20 V, Número de Elementos por Chip: 1, Tensión de diodo directa: 1.2V
onsemi MOSFET NVD5C478NT4G, VDSS 40 V, ID 42 A, DPAK (TO-252) de 3 pines,, config. Simple, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 8,4 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 4V, Tensión de umbral de puerta mínima: 2V, Disipación de Potencia Máxima: 30 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: ±20 V, Número de Elementos por Chip: 1, Tensión de diodo directa: 1.2V
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Specifications of Onsemi MOSFET NVD5C478NT4G, VDSS 40 V, ID 42 A, DPAK (TO-252) De 3 Pines,, Config. Simple | |
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