Onsemi MOSFET FCMT360N65S3OS, VDSS 650 V, ID 10 A, PQFN4 De 4 Pines,, Config. Simple
About The 5V, Disipación de Potencia Máxima: 83 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: ±30 V, Longitud: 8mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C.onsemi MOSFET FCMT360N65S3OS, VDSS 650 V, ID 10 A, PQFN4 de 4 pines,, config
Simple, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 360 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 4.5V, Tensión de umbral de puerta mínima: 2.5V, Disipación de Potencia Máxima: 83 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: ±30 V, Longitud: 8mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C onsemi MOSFET FCMT360N65S3OS, VDSS 650 V, ID 10 A, PQFN4 de 4 pines,, config.
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Specifications of Onsemi MOSFET FCMT360N65S3OS, VDSS 650 V, ID 10 A, PQFN4 De 4 Pines,, Config. Simple | |
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