Infineon MOSFET BSZ086P03NS3GATMA1, VDSS 30 V, ID 40 A, TSDSON de 8 pines,, config. Simple, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 13,4 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 1.9V, Tensión de umbral de puerta mínima: 3.1V, Disipación de Potencia Máxima: 69 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -25 V, +25 V, Longitud: 3.4mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C
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Infineon MOSFET BSZ086P03NS3GATMA1, VDSS 30 V, ID 40 A, TSDSON De 8 Pines,, Config. Simple
Specifications of Infineon MOSFET BSZ086P03NS3GATMA1, VDSS 30 V, ID 40 A, TSDSON De 8 Pines,, Config. Simple | |
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