Simple, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 9,5 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta mínima: 0.4V, Disipación de Potencia Máxima: 52 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -12 V, +12 V, Longitud: 3.4mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C Vishay MOSFET SIS415DNT-T1-GE3, VDSS 20 V, ID 22 A, PowerPAK 1212-8 de 8 pines,, config.
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Vishay MOSFET SIS415DNT-T1-GE3, VDSS 20 V, ID 22 A, PowerPAK 1212-8 De 8 Pines,, Config. Simple
Specifications of Vishay MOSFET SIS415DNT-T1-GE3, VDSS 20 V, ID 22 A, PowerPAK 1212-8 De 8 Pines,, Config. Simple | |
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