Toshiba MOSFET TK100E08N1, VDSS 80 V, ID 214 A, TO-220 De 3 Pines,, Config. Simple
About The Simple, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 3,2 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 4V, Disipación de Potencia Máxima: 255 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -20 V, +20 V, Altura: 15.1mm, Longitud: 10
Simple, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 3,2 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 4V, Disipación de Potencia Máxima: 255 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -20 V, +20 V, Altura: 15.1mm, Longitud: 10.16mm Toshiba MOSFET TK100E08N1, VDSS 80 V, ID 214 A, TO-220 de 3 pines,, config.
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