Texas Instruments MOSFET CSD19536KTTT, VDSS 100 V, ID 272 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines,, config. Simple, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 2,8 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Disipación de Potencia Máxima: 375 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -20 V, +20 V, Tensión de diodo directa: 1.1V, Altura: 4.83mm, Longitud: 10.67mm
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Texas Instruments MOSFET CSD19536KTTT, VDSS 100 V, ID 272 A, D2PAK (TO-263) De 3 Pines,, Config. Simple
Specifications of Texas Instruments MOSFET CSD19536KTTT, VDSS 100 V, ID 272 A, D2PAK (TO-263) De 3 Pines,, Config. Simple | |
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