Vishay MOSFET SIHG11N80AE-GE3, VDSS 800 V, ID 8 A, TO-247AC de 3 pines, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 0.391 Ω, Tensión de umbral de puerta máxima: 2 → 4V
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Vishay MOSFET SIHG11N80AE-GE3, VDSS 800 V, ID 8 A, TO-247AC De 3 Pines
Specifications of Vishay MOSFET SIHG11N80AE-GE3, VDSS 800 V, ID 8 A, TO-247AC De 3 Pines | |
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