Infineon MOSFET IRFH5250DTRPBF, VDSS 25 V, ID 100 A, PQFN 5 x 6 de 8 pines, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 2,2 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 2.35V, Tensión de umbral de puerta mínima: 1.35V, Disipación de Potencia Máxima: 156 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -20 V, +20 V, Longitud: 6mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C
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Infineon MOSFET IRFH5250DTRPBF, VDSS 25 V, ID 100 A, PQFN 5 X 6 De 8 Pines
Specifications of Infineon MOSFET IRFH5250DTRPBF, VDSS 25 V, ID 100 A, PQFN 5 X 6 De 8 Pines | |
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