STMicroelectronics MOSFET STD13NM60ND, VDSS 600 V, ID 11 A, DPAK (TO-252) De 3 Pines,, Config. Simple
About The 4mm. Simple, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 380 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 5V, Tensión de umbral de puerta mínima: 3V, Disipación de Potencia Máxima: 109 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -25 V, +25 V, Altura: 2
STMicroelectronics MOSFET STD13NM60ND, VDSS 600 V, ID 11 A, DPAK (TO-252) de 3 pines,, config. Simple, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 380 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 5V, Tensión de umbral de puerta mínima: 3V, Disipación de Potencia Máxima: 109 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -25 V, +25 V, Altura: 2.4mm
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STMicroelectronics MOSFET STD13NM60ND, VDSS 600 V, ID 11 A, DPAK (TO-252) De 3 Pines,, Config. Simple
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Specifications of STMicroelectronics MOSFET STD13NM60ND, VDSS 600 V, ID 11 A, DPAK (TO-252) De 3 Pines,, Config. Simple | |
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