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Nexperia MOSFET PMPB215ENEAX, VDSS 80 V, ID 2,8 A, DFN2020 De 8 Pines,, Config. Simple

About The .7V, Tensión de umbral de puerta mínima: 1

Simple, Tipo de Encapsulado: DFN2020MD-6, SOT1220, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 445 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 2.7V, Tensión de umbral de puerta mínima: 1.3V, Disipación de Potencia Máxima: 15,6 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: 20 V, Estándar de automoción: AEC-Q101 Nexperia MOSFET PMPB215ENEAX, VDSS 80 V, ID 2,8 A, DFN2020 de 8 pines,, config.

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Specifications of Nexperia MOSFET PMPB215ENEAX, VDSS 80 V, ID 2,8 A, DFN2020 De 8 Pines,, Config. Simple

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