Infineon MOSFET BSC900N20NS3GATMA1, VDSS 200 V, ID 15,2 A, TDSON de 8 pines,, config. Simple, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 90 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Disipación de Potencia Máxima: 62,5 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -20 V, +20 V, Tensión de diodo directa: 1.2V, Altura: 1.1mm, Longitud: 6.1mm
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Infineon MOSFET BSC900N20NS3GATMA1, VDSS 200 V, ID 15,2 A, TDSON De 8 Pines,, Config. Simple
Specifications of Infineon MOSFET BSC900N20NS3GATMA1, VDSS 200 V, ID 15,2 A, TDSON De 8 Pines,, Config. Simple | |
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