Infineon MOSFET BSL215CH6327XTSA1, VDSS 20 (canal N) V, -20 (canal P) V, ID 1,5 (canal N) A; -1,5 (canal P) A, TSOP-6, Tipo de Canal: N, P, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 250 mΩ, 280 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 0.6 V, 1.2V, Tensión de umbral de puerta mínima: 0.7 V, 1.2V, Disipación de Potencia Máxima: 500 mW, Configuración de transistor: Aislado, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -12 V, +12 V, Longitud: 2.9mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C
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Infineon MOSFET BSL215CH6327XTSA1, VDSS 20 (canal N) V, -20 (canal P) V, ID 1,5 (canal N) A; -1,5 (canal P) A, TSOP-6
Specifications of Infineon MOSFET BSL215CH6327XTSA1, VDSS 20 (canal N) V, -20 (canal P) V, ID 1,5 (canal N) A; -1,5 (canal P) A, TSOP-6 | |
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