Vishay MOSFET SIHU5N80AE-GE3, VDSS 800 V, ID 4,4 A, IPAK (TO-251) de 3 pines, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 1,35 Ω, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 4V
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Vishay MOSFET SIHU5N80AE-GE3, VDSS 800 V, ID 4,4 A, IPAK (TO-251) De 3 Pines
Specifications of Vishay MOSFET SIHU5N80AE-GE3, VDSS 800 V, ID 4,4 A, IPAK (TO-251) De 3 Pines | |
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