Infineon MOSFET IRF7907TRPBF, VDSS 30 V, ID 9,1 A, 11 A, SOIC de 8 pines, 2elementos, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 13,7 mΩ, 20,5 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 2.35V, Tensión de umbral de puerta mínima: 1.35V, Disipación de Potencia Máxima: 2 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -20 V, +20 V, Longitud: 5mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C
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Infineon MOSFET IRF7907TRPBF, VDSS 30 V, ID 9,1 A, 11 A, SOIC De 8 Pines, 2elementos
Specifications of Infineon MOSFET IRF7907TRPBF, VDSS 30 V, ID 9,1 A, 11 A, SOIC De 8 Pines, 2elementos | |
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