ROHM MOSFET HP8M31TB1, VDSS 60 V, ID 8,5 A, HSOP8 De 8 Pines, 2elementos
About The ROHM MOSFET HP8M31TB1, VDSS 60 V, ID 8,5 A, HSOP8 de 8 pines, 2elementos, Tipo de Canal: N, P, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 73 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 3 (N Channel) V, 3 (P Channel) V, Tensión de umbral de puerta mínima: 1 (N Channel) V, 1 (P Channel) V, Disipación de Potencia Máxima: 7 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: ±20 V, ±20 V., Longitud: 5mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C
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Specifications of ROHM MOSFET HP8M31TB1, VDSS 60 V, ID 8,5 A, HSOP8 De 8 Pines, 2elementos | |
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