Onsemi MOSFET NVMFS6H800NT1G, VDSS 80 V, ID 203 A, DFN De 5 Pines,, Config. Simple
About The Simple, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 2,1 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 4V, Tensión de umbral de puerta mínima: 2V, Disipación de Potencia Máxima: 200 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: ±20 V, Longitud: 5.onsemi MOSFET NVMFS6H800NT1G, VDSS 80 V, ID 203 A, DFN de 5 pines,, config
onsemi MOSFET NVMFS6H800NT1G, VDSS 80 V, ID 203 A, DFN de 5 pines,, config. Simple, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 2,1 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 4V, Tensión de umbral de puerta mínima: 2V, Disipación de Potencia Máxima: 200 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: ±20 V, Longitud: 5.1mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +175 °C
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Onsemi MOSFET NVMFS6H800NT1G, VDSS 80 V, ID 203 A, DFN De 5 Pines,, Config. Simple
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Specifications of Onsemi MOSFET NVMFS6H800NT1G, VDSS 80 V, ID 203 A, DFN De 5 Pines,, Config. Simple | |
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