Simple, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 9 Ω, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta mínima: 3V, Disipación de Potencia Máxima: 2500 mW, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -30 V, +30 V, Longitud: 6.6mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C onsemi MOSFET FQD2N100TM, VDSS 1000 V, ID 1.6 A, DPAK (TO-252) de 3 pines,, config.
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Onsemi MOSFET FQD2N100TM, VDSS 1000 V, ID 1.6 A, DPAK (TO-252) De 3 Pines,, Config. Simple
Specifications of Onsemi MOSFET FQD2N100TM, VDSS 1000 V, ID 1.6 A, DPAK (TO-252) De 3 Pines,, Config. Simple | |
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