Vishay MOSFET SIHG25N40D-GE3, VDSS 400 V, ID 25 A, TO-247AC De 3 Pines,, Config. Simple
About The Simple, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 170 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta mínima: 3V, Disipación de Potencia Máxima: 278 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -30 V, +30 V, Altura: 20.Vishay MOSFET SIHG25N40D-GE3, VDSS 400 V, ID 25 A, TO-247AC de 3 pines,, config
Simple, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 170 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta mínima: 3V, Disipación de Potencia Máxima: 278 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -30 V, +30 V, Altura: 20.82mm, Longitud: 15.87mm Vishay MOSFET SIHG25N40D-GE3, VDSS 400 V, ID 25 A, TO-247AC de 3 pines,, config.
Componentes Electrónicos & Interconexión & Alimentación Eléctrica > Semiconductores > Semiconductores Discretos > MOSFET
Vishay MOSFET SIHG25N40D-GE3, VDSS 400 V, ID 25 A, TO-247AC De 3 Pines,, Config. Simple
Componentes Electrónicos & Interconexión & Alimentación Eléctrica > Semiconductores > Semiconductores Discretos > MOSFET
Specifications of Vishay MOSFET SIHG25N40D-GE3, VDSS 400 V, ID 25 A, TO-247AC De 3 Pines,, Config. Simple | |
|---|---|
| Category | |
| Instock | instock |
Last Updated
Componentes Electrónicos & Interconexión & Alimentación Eléctrica
Semiconductores
Semiconductores Discretos
Rating :- 9.49 /10
Votes :- 6
