Toshiba MOSFET TK62N60W,S1VF(S, VDSS 600 V, ID 62 A, TO-247 De 3 Pines,, Config. Simple
About The 7V, Disipación de Potencia Máxima: 400 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -30 V, +30 V, Altura: 20. Simple, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 40 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 3
Toshiba MOSFET TK62N60W,S1VF(S, VDSS 600 V, ID 62 A, TO-247 de 3 pines,, config. Simple, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 40 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 3.7V, Disipación de Potencia Máxima: 400 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -30 V, +30 V, Altura: 20.95mm, Longitud: 15.94mm
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Toshiba MOSFET TK62N60W,S1VF(S, VDSS 600 V, ID 62 A, TO-247 De 3 Pines,, Config. Simple
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Specifications of Toshiba MOSFET TK62N60W,S1VF(S, VDSS 600 V, ID 62 A, TO-247 De 3 Pines,, Config. Simple | |
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