Onsemi Módulo IGBT, NXH40B120MNQ1SNG, IMPULSO De Q1 3 Canales: Contactos De Soldadura Case 180BQ (sin Plomo) 3

onsemi Módulo IGBT, Q0PACK - Caja 180AJ (contactos de soldadura sin plomo y sin haluros) 2, Disipación de Potencia Máxima: 118 W, MPN: NXH40B120MNQ0SNG.

Mersen Fusible de cartucho cerámico, 690V ac, 16A, 14 x 51mm, Material del Cuerpo: Cerámica, Categoría de Aplicación: aM, Estándar del Fusible: IEC 60269, MPN: Q217686.

Mersen Fusible de cartucho cerámico, 690V ac, 16A, 14 x 51mm, Material del Cuerpo: Cerámica, Categoría de Aplicación: gG, Estándar del Fusible: IEC 60269, MPN: A211554.

RS PRO Resistencia SMD, 430Ω, ±1%, 0.

05 x 1.DiodesZetex Transistor, PNP -2 A -100 V SOT-23, 3 pines, 200 MHz, Simple, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Disipación de Potencia Máxima: 1,81 W, Tensión Base Máxima del Colector: -140 V, Tensión Máxima Emisor-Base: -7 V, Dimensiones: 3.

onsemi Módulo IGBT, IMPULSO de Q1 3 canales: Contactos de soldadura Case 180BQ (sin plomo) 3, Disipación de Potencia Máxima: 156 W, MPN: NXH40B120MNQ1SNG.

onsemi Módulo IGBT, IMPULSO de Q1 3 canales: Contactos de soldadura Case 180BQ (sin plomo) 3, Disipación de Potencia Máxima: 156 W, MPN: NXH40B120MNQ1SNG.

Nexperia AEC-Q101 Diodo, Rectificador Schottky, 8.4A, 100V Schottky, 37ns, CFP-15, 2 + Tab-Pines, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Configuración de diodo: Cátodo común, Transitorios de corriente directa no repetitiva de pico: 210A, MPN: PMEG100V060ELPDZ.

onsemi Módulo IGBT, IMPULSO de Q1 3 canales: Contactos de soldadura Case 180BQ (sin plomo) 3, Disipación de Potencia Máxima: 156 W, MPN: NXH40B120MNQ1SNG.

4A, 100V Schottky, 37ns, CFP-15, 2 + Tab-Pines, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Configuración de diodo: Cátodo común, Transitorios de corriente directa no repetitiva de pico: 210A, MPN: PMEG100V060ELPDZ.Nexperia AEC-Q101 Diodo, Rectificador Schottky, 8.