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Ams OSRAM Fotodiodo De Silicio, IR, λ Sensibilidad Máx. 880nm, Mont. Superficial, Encapsulado DIP De 2 Pines

About The 65A/W, Polaridad: Inverso, MPN: BPW 34 FAS-Z. superficial, encapsulado DIP de 2 pines, Espectro(s) Detectado(s): Infrarrojo, Función de amplificador: No, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Mínima Longitud de Onda Detectada: 730nm, Máxima Longitud de Onda Detectada: 1100nm, Longitud: 4

superficial, encapsulado DIP de 2 pines, Espectro(s) Detectado(s): Infrarrojo, Función de amplificador: No, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Mínima Longitud de Onda Detectada: 730nm, Máxima Longitud de Onda Detectada: 1100nm, Longitud: 4.5mm, Anchura: 4mm, Altura: 1.2mm, Fotosensibilidad de Pico: 0.65A/W, Polaridad: Inverso, MPN: BPW 34 FAS-Z ams OSRAM Fotodiodo de silicio, IR, λ sensibilidad máx. 880nm, mont.

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Ams OSRAM Fotodiodo De Silicio, IR, λ Sensibilidad Máx. 880nm, Mont. Superficial, Encapsulado DIP De 2 Pines

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Specifications of Ams OSRAM Fotodiodo De Silicio, IR, λ Sensibilidad Máx. 880nm, Mont. Superficial, Encapsulado DIP De 2 Pines

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