Onsemi MOSFET NTMJS1D0N04CTWG, VDSS 40 V, ID 300 A, LFPAK8 De 8 Pines,, Config. Simple
About The 2V.5V, Disipación de Potencia Máxima: 166 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: ±20 V, Tensión de diodo directa: 1
onsemi MOSFET NTMJS1D0N04CTWG, VDSS 40 V, ID 300 A, LFPAK8 de 8 pines,, config. Simple, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 920 μ Ω, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 3.5V, Tensión de umbral de puerta mínima: 2.5V, Disipación de Potencia Máxima: 166 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: ±20 V, Tensión de diodo directa: 1.2V
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Onsemi MOSFET NTMJS1D0N04CTWG, VDSS 40 V, ID 300 A, LFPAK8 De 8 Pines,, Config. Simple
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Specifications of Onsemi MOSFET NTMJS1D0N04CTWG, VDSS 40 V, ID 300 A, LFPAK8 De 8 Pines,, Config. Simple | |
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