Infineon Placa De Evaluación Driver De Puerta MOSFET Low Voltage Drives Scalable Power Demonstration Board -

2mm.

7mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, MPN: BCP52-16,115.

5mm, Longitud: 4. Simple.Simple, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 25 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 2V, Disipación de Potencia Máxima: 2,5 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -25 V, +25 V, Altura: 1.95mm DiodesZetex MOSFET DMP3020LSS-13, VDSS 30 V, ID 6 A, SOP de 8 pines, config.

Siemens Conector hembra, DELTA, Plateado, 250 V, 16A, IP20, Tipo de Montaje: Tornillo, MPN: 5UB1463.

6mm, Revestimiento del Contacto: Oro, Temperatura Mínima de Funcionamiento: -40°C, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +107°C, MPN: PP25GWT.Superior Electric Conector de potencia Macho Supercon, 1P, Montaje roscado, 125/250 V ac, 125/250 V dc, 25A,, Conector Macho/Conector Hembra: Conector Macho, Método de Terminación: Sujeto con Tornillo, Material del Contacto: Latón, Material de la Carcasa: PA, Diámetro del Cable: 4.

5A, F 65V dc, Material del Cuerpo: Cerámica, MPN: SF-1206F350M-2.Bourns Fusible para montaje superficial,, 3.

Infineon Placa de evaluación Driver de puerta MOSFET Low Voltage Drives Scalable Power Demonstration Board -, Para Usar Con: MOSFET de potencia, Dispositivo mostrado: Power MOSFET, MPN: KITLGMBBOM004TOBO1.

Siemens Disyuntores de caja moldeada MCCB, 4 Polos, 25A, Capacidad de Ruptura 36 kA, Montaje en carril DIN, SENTRON,, Serie: 3VA1, MPN: 3VA1125-4GE42-0AA0.

Infineon Placa de evaluación Driver de puerta MOSFET Low Voltage Drives Scalable Power Demonstration Board -, Para Usar Con: MOSFET de potencia, Dispositivo mostrado: Power MOSFET, MPN: KITLGMBBOM004TOBO1.

Siemens Disyuntores de caja moldeada MCCB, 4 Polos, 25A, Capacidad de Ruptura 36 kA, Montaje en carril DIN, SENTRON,, Serie: 3VA1, MPN: 3VA1125-4GE42-0AA0.