Vishay MOSFET canal N, SOIC 18 A 100 V, 8 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 2,2 Ω, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil minimale de la grille: 1.5V, Dissipation de puissance maximum: 6 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -20 V, +20 V, Longueur: 5mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: SI4190ADY-T1-GE3
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Vishay MOSFET Canal N, SOIC 18 A 100 V, 8 Broches
Specifications of Vishay MOSFET Canal N, SOIC 18 A 100 V, 8 Broches | |
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