Vishay MOSFET Canal P, TSOP-6 8 A 12 Mo, 6 Broches
About The Vishay MOSFET canal P, TSOP-6 8 A 12 Mo, 6 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 33 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil minimale de la grille: 0.4V, Dissipation de puissance maximum: 4,2 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -10 V, +10 V, Longueur: 3
Vishay MOSFET canal P, TSOP-6 8 A 12 Mo, 6 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 33 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil minimale de la grille: 0.4V, Dissipation de puissance maximum: 4,2 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -10 V, +10 V, Longueur: 3.1mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: SI3477DV-T1-GE3
Composants Electroniques & Energie et Connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors MOSFET
Vishay MOSFET Canal P, TSOP-6 8 A 12 Mo, 6 Broches
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Specifications of Vishay MOSFET Canal P, TSOP-6 8 A 12 Mo, 6 Broches | |
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