Infineon MOSFET Canal N, SOT-223 6,6 A 550 V, 3 Broches
About The 7mm, MPN: IPN50R950CEATMA1.5V, Tension de seuil minimale de la grille: 2
Infineon MOSFET canal N, SOT-223 6,6 A 550 V, 3 broches, Type de montage: CMS, Nombre de broche: 3 + Tab, Résistance Drain Source maximum: 950 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 3.5V, Tension de seuil minimale de la grille: 2.5V, Dissipation de puissance maximum: 5 W, Tension Grille Source maximum: -30 V, +30 V, Nombre d'éléments par circuit: 1, Tension directe de la diode: 0.83V, Hauteur: 1.7mm, MPN: IPN50R950CEATMA1
Composants Electroniques & Energie et Connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors MOSFET
Infineon MOSFET Canal N, SOT-223 6,6 A 550 V, 3 Broches
Composants Electroniques & Energie et Connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors MOSFET
Specifications of Infineon MOSFET Canal N, SOT-223 6,6 A 550 V, 3 Broches | |
|---|---|
| Category | |
| Instock | instock |
