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Onsemi Diode Traversante, 500mA, 200V, DO-35

About The onsemi Diode traversante, 500mA, 200V, DO-35, Configuration de diode: Simple, Type diode: Jonction au silicium, Chute minimale de tension directe: 1V, Diamètre: 1.91mm, courant direct de surcharge non-répétitif de crête: 4A, MPN: 1N459ATR

onsemi Diode traversante, 500mA, 200V, DO-35, Configuration de diode: Simple, Type diode: Jonction au silicium, Chute minimale de tension directe: 1V, Diamètre: 1.91mm, courant direct de surcharge non-répétitif de crête: 4A, MPN: 1N459ATR

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Onsemi Diode Traversante, 500mA, 200V, DO-35

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Specifications of Onsemi Diode Traversante, 500mA, 200V, DO-35

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Panasonic Résistance CMS série ERA 33kΩ, boitier 0603 (1608M) ±0.1% 0.1W

Panasonic Résistance CMS série ERA 33kΩ, boitier 0603 (1608M) ±0.1% 0.1W

Panasonic Résistance CMS série ERA 33kΩ, boitier 0603 (1608M) ±0.

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    Panasonic Résistance CMS série ERA 2.87kΩ, boitier 0603 (1608M) ±0.1% 0.1W

    87kΩ, boitier 0603 (1608M) ±0.1W, Technologie: Film métallique, Coefficient de température: ±10ч/млн/°C, Température d'utilisation minimum: -55°C, Température d'utilisation maximum: +155°C, MPN: ERA3ARB2871V.1% 0.

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    Panasonic Résistance CMS série ERA 12.4kΩ, boitier 0603 (1608M) ±0.1% 0.1W

    1W, Technologie: Film métallique, Coefficient de température: ±10ч/млн/°C, Température d'utilisation minimum: -55°C, Température d'utilisation maximum: +155°C, MPN: ERA3ARB1242V.4kΩ, boitier 0603 (1608M) ±0.1% 0.

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    Panasonic Résistance CMS série ERA 698Ω, boitier 0603 (1608M) ±0.1W, Technologie: Film métallique, Coefficient de température: ±15ppm/°C, Standard automobile: AEC-Q200, Température d'utilisation minimum: -55°C, Température d'utilisation maximum: +155°C, MPN: ERA3APB6980V.

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    EPCOS Thermistance CTN, 1kΩ, Tolérance ±10%

    EPCOS Thermistance CTN, 1kΩ, Tolérance ±10%, Coefficient thermique: 4.1%/°C, Constante de temps thermique: 75s, Application: Compensation, Contrôle, Mesure, Précision: ±3%, Puissance maximale: 450mW, Profondeur: 8mm, Hauteur: 21mm, MPN: B57045K0102K000.

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    onsemi Diode traversante, 500mA, 200V, DO-35, Configuration de diode: Simple, Type diode: Jonction au silicium, Chute minimale de tension directe: 1V, Diamètre: 1.91mm, courant direct de surcharge non-répétitif de crête: 4A, MPN: 1N459ATR.

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    Wurth Elektronik Embase pour CI, WR-TBL, 4 pôles, 7.62mm 1 rangée, 20.0A, Angle droit

    62mm 1 rangée, 20.0A, Angle droit, Orientation du corps: Horizontal, Type de montage: Montage sur CI, Type de raccordement: A souder, Matériau du contact: Laiton, Placage du contact: Etain, Courant: 20A, MPN: 691317410004.Wurth Elektronik Embase pour CI, WR-TBL, 4 pôles, 7.

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    onsemi Diode traversante, 500mA, 200V, DO-35, Configuration de diode: Simple, Type diode: Jonction au silicium, Chute minimale de tension directe: 1V, Diamètre: 1.91mm, courant direct de surcharge non-répétitif de crête: 4A, MPN: 1N459ATR.

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    Wurth Elektronik Embase pour CI, WR-TBL, 4 pôles, 7.62mm 1 rangée, 20.0A, Angle droit

    0A, Angle droit, Orientation du corps: Horizontal, Type de montage: Montage sur CI, Type de raccordement: A souder, Matériau du contact: Laiton, Placage du contact: Etain, Courant: 20A, MPN: 691317410004.62mm 1 rangée, 20.

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