Infineon MOSFET Canal N, ThinPAK 8 X 8 29 A 600 V, 5 Broches

Weidmuller Bloc de jonction rail DIN P, Enfichable, Noir, Nombre d'étages: 4, AWG: 26 → 16AWG, Courant: 10A, Tension: 300 V, Température de fonctionnement minimale: -10°C, Température de fonctionnement maximale: +40°C, MPN: 1173840000.

Brady Verrouillage par bouton-poussoir Polycarbonate, acier inoxydable, anse de 22mm, Couleur: Transparent, MPN: 139795.

Renesas Electronics Circuit intégré commutateur multiplexeur 12 Multiplexeur ISL54233IRTZ.

Renesas Electronics Circuit intégré commutateur multiplexeur 12 Multiplexeur ISL54233IRTZ.

Renesas Electronics, Nombre de canaux par circuit: 8, MPN: ISL32603EFUZ.

Tectonic Haut-parleur, 4Ω, 5W, Type de fréquence: Pleine Gamme, Diamètre: 58mm, Forme pilote: Carré, Réponse en fréquence: 100 → 20000 Hz, Profondeur: 20.

5V, Nombre d'éléments par circuit: 1, Série: IPD50R, MPN: IPL60R065C7AUMA1.Infineon MOSFET canal N, ThinPAK 8 x 8 29 A 600 V, 5 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 65 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 4.

Infineon MOSFET canal N, D2PAK (TO-263) 18 A 600 V, 3 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 180 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 4V, Série: IPB65R, MPN: IPB60R180P7ATMA1.

5V, Nombre d'éléments par circuit: 1, Série: IPD50R, MPN: IPL60R065C7AUMA1.Infineon MOSFET canal N, ThinPAK 8 x 8 29 A 600 V, 5 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 65 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 4.

Infineon MOSFET canal N, D2PAK (TO-263) 18 A 600 V, 3 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 180 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 4V, Série: IPB65R, MPN: IPB60R180P7ATMA1.