STMicroelectronics Transistor MOSFET canal N, PowerFLAT 5 x 6 HV 5,5 A 600 V, 8 broches, Type de boîtier: PowerFLAT™, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 660 m Ω, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 4.75V, Tension de seuil minimale de la grille: 3.25V, Dissipation de puissance maximum: 48 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: ±25 V, Nombre d'éléments par circuit: 1, Tension directe de la diode: 1.6V, Hauteur: 0.95mm, MPN: STL10N60M6
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STMicroelectronics Transistor MOSFET Canal N, PowerFLAT 5 X 6 HV 5,5 A 600 V, 8 Broches
Specifications of STMicroelectronics Transistor MOSFET Canal N, PowerFLAT 5 X 6 HV 5,5 A 600 V, 8 Broches | |
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