Infineon MOSFET canal N, TO-220 31,2 A 650 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 0,11 Ω, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 4.5V, Matériau du transistor: Silicium, Série: CoolMOS, MPN: IPP65R110CFDAAKSA1
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Infineon MOSFET Canal N, TO-220 31,2 A 650 V, 3 Broches
Specifications of Infineon MOSFET Canal N, TO-220 31,2 A 650 V, 3 Broches | |
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