reorder
ALWAYS Be Happy search home
c
Combo Blog
Categories
Play Games New
Composants Electroniques & Energie et Connecteurs
Semi-conducteurs
Composants discrets
Transistors MOSFET
Infineon

Infineon MOSFET Canal N, IPAK (TO-251) 8,5 A 700 V, 3 Broches

About The Infineon MOSFET canal N, IPAK (TO-251) 8,5 A 700 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 0,6 Ω, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 3.5V, Matériau du transistor: Silicium, Série: CoolMOS, MPN: IPSA70R600P7SAKMA1

Infineon MOSFET canal N, IPAK (TO-251) 8,5 A 700 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 0,6 Ω, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 3.5V, Matériau du transistor: Silicium, Série: CoolMOS, MPN: IPSA70R600P7SAKMA1

Composants Electroniques & Energie et Connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors MOSFET

Infineon MOSFET Canal N, IPAK (TO-251) 8,5 A 700 V, 3 Broches

Composants Electroniques & Energie et Connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors MOSFET

Specifications of Infineon MOSFET Canal N, IPAK (TO-251) 8,5 A 700 V, 3 Broches

Category
Instockinstock

Last Updated

Infineon MOSFET Canal N, IPAK (TO-251) 8,5 A 700 V, 3 Broches
More Varieties

Rating :- 9.85 /10
Votes :- 10