Infineon MOSFET canal N, IPAK (TO-251) 8,5 A 700 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 0,6 Ω, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 3.5V, Matériau du transistor: Silicium, Série: CoolMOS, MPN: IPSA70R600P7SAKMA1
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Infineon MOSFET Canal N, IPAK (TO-251) 8,5 A 700 V, 3 Broches
Specifications of Infineon MOSFET Canal N, IPAK (TO-251) 8,5 A 700 V, 3 Broches | |
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