Infineon MOSFET canal N, DPAK (TO-252) 90 A 40 V, 3 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 0,0038 Ω, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 2V, Nombre d'éléments par circuit: 1, Matériau du transistor: Silicium, Série: IPD, MPN: IPD90N04S4L04ATMA1
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Infineon MOSFET Canal N, DPAK (TO-252) 90 A 40 V, 3 Broches
Specifications of Infineon MOSFET Canal N, DPAK (TO-252) 90 A 40 V, 3 Broches | |
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