STMicroelectronics MOSFET canal N, DPAK (TO-252) 7 A, 3 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 600 m Ω, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 5V, Tension de seuil minimale de la grille: 4V, Dissipation de puissance maximum: 70 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: ±25 V, Nombre d'éléments par circuit: 1, Tension directe de la diode: 1.5V, Hauteur: 2.17mm, MPN: STD8N65M5
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STMicroelectronics MOSFET Canal N, DPAK (TO-252) 7 A, 3 Broches
Specifications of STMicroelectronics MOSFET Canal N, DPAK (TO-252) 7 A, 3 Broches | |
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