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Onsemi MOSFET Canal N, D2PAK (TO-263) 36 A 650 V, 3 Broches

About The onsemi MOSFET canal N, D2PAK (TO-263) 36 A 650 V, 3 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 95 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 5V, Tension de seuil minimale de la grille: 3V, Dissipation de puissance maximum: 272 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: ±30 V, Longueur: 10.67mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: NTB095N65S3HF

onsemi MOSFET canal N, D2PAK (TO-263) 36 A 650 V, 3 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 95 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 5V, Tension de seuil minimale de la grille: 3V, Dissipation de puissance maximum: 272 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: ±30 V, Longueur: 10.67mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: NTB095N65S3HF

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Onsemi MOSFET Canal N, D2PAK (TO-263) 36 A 650 V, 3 Broches

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Specifications of Onsemi MOSFET Canal N, D2PAK (TO-263) 36 A 650 V, 3 Broches

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