Infineon MOSFET Canal N, TDSON 100 A 40 V, 8 Broches
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Infineon MOSFET canal N, TDSON 100 A 40 V, 8 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 1,9 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 2V, Tension de seuil minimale de la grille: 1.2V, Dissipation de puissance maximum: 96 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: 20 V, Longueur: 5.15mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: BSC014N04LSATMA1
Composants Electroniques & Energie et Connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors MOSFET
Infineon MOSFET Canal N, TDSON 100 A 40 V, 8 Broches
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Specifications of Infineon MOSFET Canal N, TDSON 100 A 40 V, 8 Broches | |
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