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Abracon Omnidirectionnelle Antenne Télémétrie ACAG1204-915-T PCB PCB 915MHz 915MHz 3.42dBi Bande ISM, LoRaWAN

About The Abracon Omnidirectionnelle Antenne télémétrie ACAG1204-915-T PCB PCB 915MHz 915MHz 3.42dBi Bande ISM, LoRaWAN

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Specifications of Abracon Omnidirectionnelle Antenne Télémétrie ACAG1204-915-T PCB PCB 915MHz 915MHz 3.42dBi Bande ISM, LoRaWAN

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TE Connectivity Résistance CMS série CPF 4.42kΩ, boitier 0603 (1608M) ±0.1% 0.063W

TE Connectivity Résistance CMS série CPF 4.42kΩ, boitier 0603 (1608M) ±0.1% 0.063W

063W, Technologie: Film couche mince, Coefficient de température: ±25ppm/°C, Température d'utilisation minimum: -55°C, Température d'utilisation maximum: +155°C, MPN: CPF0603B4K42E1.

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  • Résistances
  • Résistances à montage en surface
  • TE Connectivity
    • onsemi MOSFET canal N, TO247-4 142 A 650 V, 4 broches

    onsemi MOSFET canal N, TO247-4 142 A 650 V, 4 broches

    3V, Matériau du transistor: SiC, Série: SiC Power, MPN: NTH4L015N065SC1.

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  • Semi-conducteurs
  • Composants discrets
  • Transistors MOSFET
  • onsemi
    • onsemi MOSFET canal N, DPAK (TO-252) 13 A 650 V, 3 broches

    onsemi MOSFET canal N, DPAK (TO-252) 13 A 650 V, 3 broches

    onsemi MOSFET canal N, DPAK (TO-252) 13 A 650 V, 3 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 0,25 Ω, Tension de seuil maximale de la grille: 4V, Série: SUPERFET III, MPN: NTD250N65S3H.

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  • onsemi
    • onsemi MOSFET canal N, D2PAK (TO-263) 203 A 100 V, 7 broches

    onsemi MOSFET canal N, D2PAK (TO-263) 203 A 100 V, 7 broches

    onsemi MOSFET canal N, D2PAK (TO-263) 203 A 100 V, 7 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 0,0041 Ω, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 4V, Matériau du transistor: SiC, Série: SiC Power, MPN: NTBGS004N10G.

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    • onsemi MOSFET canal N, D2PAK (TO-263) 203 A 100 V, 7 broches

    onsemi MOSFET canal N, D2PAK (TO-263) 203 A 100 V, 7 broches

    onsemi MOSFET canal N, D2PAK (TO-263) 203 A 100 V, 7 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 0,0041 Ω, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 4V, Matériau du transistor: SiC, Série: SiC Power, MPN: NTBGS004N10G.

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