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ROHM MOSFET Canal P, DFN2020 6 A 40 V, 8 Broches

About The ROHM MOSFET canal P, DFN2020 6 A 40 V, 8 broches, MPN: RF4G060ATTCR

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Specifications of ROHM MOSFET Canal P, DFN2020 6 A 40 V, 8 Broches

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    Infineon MOSFET canal N, D2PAK (TO-263) 300 A 80 V

    Infineon MOSFET canal N, D2PAK (TO-263) 300 A 80 V, MPN: IAUT300N08S5N014ATMA1.

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    • ROHM Diode, 300mA, 200V, To-252GE, 3 broches

    ROHM Diode, 300mA, 200V, To-252GE, 3 broches

    ROHM Diode, 300mA, 200V, To-252GE, 3 broches, Configuration de diode: Simple, Type de montage: CMS, Nombre d'éléments par circuit: 1, Technologie de diode: Jonction au silicium, MPN: RFN3BGE2STL.

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    • SMC Electrovanne serie SY fonction 1, Solénoïde, Raccord rapide 6 mm

    SMC Electrovanne serie SY fonction 1, Solénoïde, Raccord rapide 6 mm

    SMC Electrovanne serie SY fonction 1, Solénoïde, Raccord rapide 6 mm, Type de montage: Enfichable, MPN: SY5120-5LOZ-C6F-Q.

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    • Vishay Résistance CMS série MCT 100kΩ, boitier 0603 (1608M) ±1% 0.12W

    Vishay Résistance CMS série MCT 100kΩ, boitier 0603 (1608M) ±1% 0.12W

    Vishay Résistance CMS série MCT 100kΩ, boitier 0603 (1608M) ±1% 0.12W, Technologie: Film couche mince, Coefficient de température: ±50ppm/K, Température d'utilisation minimum: -55°C, Température d'utilisation maximum: +155°C, MPN: MCT06030C1003FP500.

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    Infineon Module de commande de grille 2ED2108S06FXUMA1, CMOS -414,2 mA 650V, 8 broches, DSO-8

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    ROHM MOSFET canal P, DFN2020 6 A 40 V, 8 broches, MPN: RF4G060ATTCR.

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