Infineon MOSFET canal P, D2PAK (TO-263) 120 A 40 V, 3 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 0,0031 Ω, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 2.2V, Matériau du transistor: Silicium, Série: IPB, MPN: IPB120P04P4L03ATMA2
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Infineon MOSFET Canal P, D2PAK (TO-263) 120 A 40 V, 3 Broches
Specifications of Infineon MOSFET Canal P, D2PAK (TO-263) 120 A 40 V, 3 Broches | |
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