Vishay MOSFET canal P, PowerPAK SO-8 195 A 30 V, 8 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 2,6 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 2.5V, Tension de seuil minimale de la grille: 1V, Dissipation de puissance maximum: 104 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -20 V, +16 V., Longueur: 5.99mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: SIRA99DP-T1-GE3
Composants Electroniques & Energie et Connecteurs > Semi-conducteurs > Composants discrets > Transistors MOSFET
Vishay MOSFET Canal P, PowerPAK SO-8 195 A 30 V, 8 Broches
Specifications of Vishay MOSFET Canal P, PowerPAK SO-8 195 A 30 V, 8 Broches | |
---|---|
Category | |
Instock | instock |