onsemi MOSFET canal P, MicroFET 2 x 2 9,4 A 20 V, 6 broches, Type de boîtier: MLP, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 34 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil minimale de la grille: 0.4V, Dissipation de puissance maximum: 2,4 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -8 V, +8 V, Nombre d'éléments par circuit: 1, Hauteur: 0.75mm, Longueur: 2mm, MPN: FDMA910PZ
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Onsemi MOSFET Canal P, MicroFET 2 X 2 9,4 A 20 V, 6 Broches
Specifications of Onsemi MOSFET Canal P, MicroFET 2 X 2 9,4 A 20 V, 6 Broches | |
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