onsemi MOSFET canal N, Puissance 33 7,5 A 100 V, 8 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 178 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil minimale de la grille: 1V, Dissipation de puissance maximum: 19 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -20 V, +20 V, Hauteur: 0.75mm, Longueur: 3.3mm, MPN: FDMC86116LZ
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Onsemi MOSFET Canal N, Puissance 33 7,5 A 100 V, 8 Broches
Specifications of Onsemi MOSFET Canal N, Puissance 33 7,5 A 100 V, 8 Broches | |
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