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Vishay Diode CMS, 200mA, 30V, SOT-23

About The Vishay Diode CMS, 200mA, 30V, SOT-23, Configuration de diode: Série, Type de redressement: Diode Schottky, Chute minimale de tension directe: 800mV, Technologie de diode: Barrière Schottky, Temps de recouvrement inverse crête: 5ns, courant direct de surcharge non-répétitif de crête: 600mA, MPN: BAT54S-E3-08

Vishay Diode CMS, 200mA, 30V, SOT-23, Configuration de diode: Série, Type de redressement: Diode Schottky, Chute minimale de tension directe: 800mV, Technologie de diode: Barrière Schottky, Temps de recouvrement inverse crête: 5ns, courant direct de surcharge non-répétitif de crête: 600mA, MPN: BAT54S-E3-08

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Specifications of Vishay Diode CMS, 200mA, 30V, SOT-23

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Murata Condensateur céramique multicouche MLCC, CMS, 10μF, 25V c.c., ±20%, diélectrique : X5R
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    • Infineon MOSFET canal N, Traversant 6 A 800 V

    Infineon MOSFET canal N, Traversant 6 A 800 V

    Infineon MOSFET canal N, Traversant 6 A 800 V, MPN: SPP06N80C3XKSA1.

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    • ABB Contact auxiliaire 1SCA022 1 contact 1 NF à vis

    ABB Contact auxiliaire 1SCA022 1 contact 1 NF à vis

    ABB Contact auxiliaire 1SCA022 1 contact 1 NF à vis, Montage: Enfichable, MPN: 913901.

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    • Infineon MOSFET canal N, PG-TO220-3 9,9 A 500 V

    Infineon MOSFET canal N, PG-TO220-3 9,9 A 500 V

    Infineon MOSFET canal N, PG-TO220-3 9,9 A 500 V, Type de montage: Traversant, MPN: IPP50R380CEXKSA1.

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    • Infineon MOSFET canal N, PG-TO263-3 120 A 40 V

    Infineon MOSFET canal N, PG-TO263-3 120 A 40 V

    Infineon MOSFET canal N, PG-TO263-3 120 A 40 V, Type de montage: CMS, MPN: IPB120N04S402ATMA1.

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    • Infineon MOSFET canal N, PG-TO263-3-2 100 A 40 V

    Infineon MOSFET canal N, PG-TO263-3-2 100 A 40 V

    Infineon MOSFET canal N, PG-TO263-3-2 100 A 40 V, MPN: IPB100N04S4H2ATMA1.

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    • Infineon, ICE2QR0665ZXKLA1, 65 kHz, PG-DIP-7

    Infineon, ICE2QR0665ZXKLA1, 65 kHz, PG-DIP-7

    Infineon, 65 kHz, PG-DIP-7, MPN: ICE2QR0665ZXKLA1.

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    Vishay Diode CMS, 200mA, 30V, SOT-23, Configuration de diode: Série, Type de redressement: Diode Schottky, Chute minimale de tension directe: 800mV, Technologie de diode: Barrière Schottky, Temps de recouvrement inverse crête: 5ns, courant direct de surcharge non-répétitif de crête: 600mA, MPN: BAT54S-E3-08.

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    Vishay Diode CMS, 200mA, 30V, SOT-23, Configuration de diode: Série, Type de redressement: Diode Schottky, Chute minimale de tension directe: 800mV, Technologie de diode: Barrière Schottky, Temps de recouvrement inverse crête: 5ns, courant direct de surcharge non-répétitif de crête: 600mA, MPN: BAT54S-E3-08.

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