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DiodesZetex MOSFET Canal P, SOIC 5,8 A 40 V, 8 Broches

About The DiodesZetex MOSFET canal P, SOIC 5,8 A 40 V, 8 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 45 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 1.8V, Dissipation de puissance maximum: 2,14 W, Configuration du transistor: Isolé, Tension Grille Source maximum: -20 V, +20 V, Longueur: 4

DiodesZetex MOSFET canal P, SOIC 5,8 A 40 V, 8 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 45 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 1.8V, Dissipation de puissance maximum: 2,14 W, Configuration du transistor: Isolé, Tension Grille Source maximum: -20 V, +20 V, Longueur: 4.95mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: DMP4025LSD-13

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DiodesZetex MOSFET Canal P, SOIC 5,8 A 40 V, 8 Broches

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Specifications of DiodesZetex MOSFET Canal P, SOIC 5,8 A 40 V, 8 Broches

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