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Infineon Faible Puissance,, BTS3050EJXUMA1, PG-TDSO-8, 8 Broches

About The Infineon Faible puissance,, PG-TDSO-8, 8 broches, Résistance RDS(on) de commutation: 100MΩ, Tension d'alimentation fonctionnement maximum: 31 V, MPN: BTS3050EJXUMA1

Infineon Faible puissance,, PG-TDSO-8, 8 broches, Résistance RDS(on) de commutation: 100MΩ, Tension d'alimentation fonctionnement maximum: 31 V, MPN: BTS3050EJXUMA1

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Specifications of Infineon Faible Puissance,, BTS3050EJXUMA1, PG-TDSO-8, 8 Broches

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Infineon Faible Puissance,, BTS3050EJXUMA1, PG-TDSO-8, 8 Broches
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Infineon MOSFET canal N, PG HSOG-8 (TOLG) 300 A 80 V, 8 broches

Infineon MOSFET canal N, PG HSOG-8 (TOLG) 300 A 80 V, 8 broches

8V, Matériau du transistor: Silicium, Série: IAUS, MPN: IAUS300N08S5N012ATMA1.

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    Infineon Module IGBT,, 760 A, 1200 V, AG-HYBRIDD-1, 33 broches, Tension Grille Emetteur maximum: +/-20V, MPN: FS380R12A6T4BBPSA1.

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    17A, Tolérance: ±20%, MPN: LGW2D471MELZ30.Nichicon Condensateur série GW, Aluminium électrolytique 470μF, 200V c., Capacité: 470µF, Type de montage: Traversant, Technologie: Electrolytique, Dimensions: 22 (Dia.

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    Nichicon Condensateur série GW, Aluminium électrolytique 470μF, 200V c., Capacité: 470µF, Type de montage: Traversant, Technologie: Electrolytique, Dimensions: 22 (Dia.) x 30mm, Température d'utilisation minimum: -40°C, Diamètre: 22mm, Température d'utilisation maximum: +105°C, Pas entre broches: 10mm, Durée de vie: 3000h, Courant de fuite: 0,91 mA, Courant d'ondulation: 2.

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