Infineon MOSFET canal N, A-220 46 A 700 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 45 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Dissipation de puissance maximum: 227 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -30 V, +30 V, Nombre d'éléments par circuit: 1, Tension directe de la diode: 0.9V, Hauteur: 15.95mm, Longueur: 10.36mm, MPN: IPP65R045C7XKSA1
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Infineon MOSFET Canal N, A-220 46 A 700 V, 3 Broches
Specifications of Infineon MOSFET Canal N, A-220 46 A 700 V, 3 Broches | |
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