Vishay MOSFET Canal N, SOT-223 2,7 A 60 V, 3 Broches
About The 8mm, Longueur: 6.Vishay MOSFET canal N, SOT-223 2,7 A 60 V, 3 broches, Type de montage: CMS, Nombre de broche: 3 + Tab, Résistance Drain Source maximum: 200 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil minimale de la grille: 2V, Dissipation de puissance maximum: 3,1 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -20 V, +20 V, Hauteur: 1
Vishay MOSFET canal N, SOT-223 2,7 A 60 V, 3 broches, Type de montage: CMS, Nombre de broche: 3 + Tab, Résistance Drain Source maximum: 200 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil minimale de la grille: 2V, Dissipation de puissance maximum: 3,1 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -20 V, +20 V, Hauteur: 1.8mm, Longueur: 6.7mm, MPN: IRFL014TRPBF
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Vishay MOSFET Canal N, SOT-223 2,7 A 60 V, 3 Broches
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Specifications of Vishay MOSFET Canal N, SOT-223 2,7 A 60 V, 3 Broches | |
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