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Nexperia Diode CMS, 120mA, 40V, SOT-23 (TO-236AB)

About The Nexperia Diode CMS, 120mA, 40V, SOT-23 (TO-236AB), Configuration de diode: Anode commune, Type de redressement: Diode Schottky, Technologie de diode: Barrière Schottky, courant direct de surcharge non-répétitif de crête: 200mA, MPN: BAS40-06

Nexperia Diode CMS, 120mA, 40V, SOT-23 (TO-236AB), Configuration de diode: Anode commune, Type de redressement: Diode Schottky, Technologie de diode: Barrière Schottky, courant direct de surcharge non-répétitif de crête: 200mA, MPN: BAS40-06

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Nexperia Diode CMS, 120mA, 40V, SOT-23 (TO-236AB)

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Specifications of Nexperia Diode CMS, 120mA, 40V, SOT-23 (TO-236AB)

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Nexperia Diode CMS, 120mA, 40V, SOT-23 (TO-236AB)
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Hammond Boîtier 1457 en Aluminium, 4.73 x 4.09 x 2.15pouce IP65

Hammond Boîtier 1457 en Aluminium, 4.73 x 4.09 x 2.15pouce IP65

15pouce IP65, Longueur externe: 120,1 mm, Hauteur externe: 54,6 mm, Largeur externe: 103,9 mm, Bridé: Oui, MPN: 1457N1202.

  • Automatisme Industriel & Contrôle de process & Electrique et Câbles
  • Boîtiers & coffrets et armoires
  • Boîtiers
  • Boîtiers pour usage général
  • Hammond
    • Taiwan Semiconductor Diode traversante, 3A, 60V, DO-201AD

    Taiwan Semiconductor Diode traversante, 3A, 60V, DO-201AD

    6mm, courant direct de surcharge non-répétitif de crête: 80A, MPN: SR306 R0.

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  • Taiwan Semiconductor
    • Nexperia Transistor, PNP Simple, -100 mA, -45 V, SOT-23 (TO-236AB), 3 broches

    Nexperia Transistor, PNP Simple, -100 mA, -45 V, SOT-23 (TO-236AB), 3 broches

    4mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: BCX71H.Nexperia Transistor, PNP Simple, -100 mA, -45 V, SOT-23 (TO-236AB), 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 250 mW, Gain en courant DC minimum: 180, Fréquence de fonctionnement maximum: 100 MHz, Dimensions: 1 x 3 x 1.

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  • Transistors bipolaires
  • Nexperia
    • ROHM Résistance CMS série MCR 510Ω, boitier 1210 (3225M) ±1% 0.25W

    ROHM Résistance CMS série MCR 510Ω, boitier 1210 (3225M) ±1% 0.25W

    ROHM Résistance CMS série MCR 510Ω, boitier 1210 (3225M) ±1% 0.25W, Technologie: Film couche épaisse, Coefficient de température: ±100ч/млн/°C, Température d'utilisation minimum: -55°C, Température d'utilisation maximum: +155°C, MPN: MCR25JZHF5100.

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  • Passifs
  • Résistances
  • Résistances à montage en surface
  • ROHM
    • ROHM Résistance CMS série MCR 510Ω, boitier 1210 (3225M) ±1% 0.25W

    ROHM Résistance CMS série MCR 510Ω, boitier 1210 (3225M) ±1% 0.25W

    ROHM Résistance CMS série MCR 510Ω, boitier 1210 (3225M) ±1% 0.25W, Technologie: Film couche épaisse, Coefficient de température: ±100ч/млн/°C, Température d'utilisation minimum: -55°C, Température d'utilisation maximum: +155°C, MPN: MCR25JZHF5100.

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