Onsemi MOSFET Canal N/P, SOT-363 600 MA, 700 MA 20 V, 6 Broches
About The onsemi MOSFET canal N/P, SOT-363 600 mA, 700 mA 20 V, 6 broches, Type de canal: N, P, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 442 mΩ, 700 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil minimale de la grille: 0.3V, Dissipation de puissance maximum: 300 mW, Configuration du transistor: Isolé, Tension Grille Source maximum: -12 V, +12 V, Longueur: 2mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: FDG6332C
onsemi MOSFET canal N/P, SOT-363 600 mA, 700 mA 20 V, 6 broches, Type de canal: N, P, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 442 mΩ, 700 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil minimale de la grille: 0.3V, Dissipation de puissance maximum: 300 mW, Configuration du transistor: Isolé, Tension Grille Source maximum: -12 V, +12 V, Longueur: 2mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: FDG6332C
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Onsemi MOSFET Canal N/P, SOT-363 600 MA, 700 MA 20 V, 6 Broches
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Specifications of Onsemi MOSFET Canal N/P, SOT-363 600 MA, 700 MA 20 V, 6 Broches | |
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