ROHM MOSFET canal P, TSMT-6 5 A 30 V, 6 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 38 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 2.5V, Tension de seuil minimale de la grille: 1V, Dissipation de puissance maximum: 1,25 W, Configuration du transistor: Base double, Tension Grille Source maximum: -18 V, +18 V, Longueur: 3mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: RQ6E050ATTCR
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ROHM MOSFET Canal P, TSMT-6 5 A 30 V, 6 Broches
Specifications of ROHM MOSFET Canal P, TSMT-6 5 A 30 V, 6 Broches | |
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